半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体也因而诞生。
从技术来看，半导体材料目前已发展了三代:
1) 第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基 础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的；
2) 第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和磷化镓（GaP）为代表， 相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，广泛应用于光电子和微电子领域；
3) 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴材料为代表。
